Name: RQ3E100BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E100BNTBTR-ND
Price: 285.2674 HUF
Availability: InStock

Gyors kiszállítás

A szállítási helytől függően a rendeléseket Magyarország általában 3 napon belül kiszállítjuk.

Ingyen kiszállítjuk

Ingyenes szállítás Magyarország 15 000 Ft vagy annál nagyobb megrendelések esetén. Minden 15 000 Ftnál kisebb megrendelés esetén 6 000 Ft szállítási költséget számolunk fel.

Incoterms

UPS szállítmány előre fizetve: DDP (a vám és a vámkezelés költsége a DigiKey-t terheli)

FedEx- vagy DHL-szállítmány előre fizetve: CPT (kézbesítéskor fizetendő vám, vámkezelési költség és ÁFA)

Fizetési módok

Hitelszámla arra feljogosított intézmények és vállalatok számára

Előre fizetés átutalással

Apple Pay Google Pay

Marketplace termék

További termékek teljes mértékben felhatalmazott parterektől

Az átlagos szállítási idő 1-3 nap, plusz szállítási költségek merülhetnek fel. A tényleges kiszállítási idő látható a termékoldalon, a kosárban és a pénztárnál.

Incoterms: CPT (kézbesítéskor fizetendő vám, vámkezelési költség és vonatkozó adók)

RQ3E100BNTB
DigiKey raktári szám	RQ3E100BNTBTR-ND - Szalag tekercsen (TR) RQ3E100BNTBCT-ND - Vágott szalag (CT) RQ3E100BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Rohm Semiconductor
Gyártói cikkszám	RQ3E100BNTB
Leírás	MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Gyártói standard átfutási idő	21 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Felületszerelt 8-HSMT (3,2x3)
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	RQ3E100BNTB modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Rohm Semiconductor
Sorozat	-
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	30 V
Drain áram (Id) 25°C-on	10A (Ta)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	10,4mohm / 10A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,5V / 1mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	22 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	1100 pF @ 15 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	2W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	8-HSMT (3,2x3)
Tokozás	8-VDFN
Alap típusszám	RQ3E100

Mennyiség	Egységár	Részösszeg
1	224,62000 Ft	224,62 Ft
10	139,46400 Ft	1 394,64 Ft
100	89,37770 Ft	8 937,77 Ft
500	67,79426 Ft	33 897,13 Ft
1 000	60,83111 Ft	60 831,11 Ft

Mennyiség	Egységár	Részösszeg
3 000	51,97716 Ft	155 931,48 Ft
6 000	47,51554 Ft	285 093,24 Ft
9 000	45,24199 Ft	407 177,91 Ft
15 000	42,68694 Ft	640 304,10 Ft
21 000	41,17381 Ft	864 650,01 Ft
30 000	39,70332 Ft	1 191 099,60 Ft
75 000	38,55375 Ft	2 891 531,25 Ft

Egységár áfa nélkül:	224,62000 Ft
Egységár áfával:	285,26740 Ft

RQ3E100BNTB

Információk

Segítség

Kapcsolatfelvétel

Kövessen bennünket