Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTBTR-ND
Price: 269.4178 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

RQ3E080BNTB
DigiKey raktári szám	RQ3E080BNTBTR-ND - Szalag tekercsen (TR) RQ3E080BNTBCT-ND - Vágott szalag (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Rohm Semiconductor
Gyártói cikkszám	RQ3E080BNTB
Leírás	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Gyártói standard átfutási idő	16 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Felületszerelt 8-HSMT (3,2x3)
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	RQ3E080BNTB modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 2,5V / 1mA
Gyrt. Rohm Semiconductor	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 14.5 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 660 pF @ 15 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 2W (Ta)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet 150°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 30 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 8A (Ta)	Gyártói tokozás 8-HSMT (3,2x3)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Tokozás 8-VDFN
Rds On (max.) / Id, Ugs 15,2mohm / 8A, 10V	Alap típusszám RQ3E080

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 8 823

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®

* Minden Digi-Reel rendeléshez 1 947,00 Ft tekercselési díjat számolunk fel.

Szalag tekercsen (TR)