MOSFET tömb 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Felületszerelt modul
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
MOSFET tömb 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Felületszerelt modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

DigiKey raktári szám
BSM180D12P3C007-ND
Gyártó
Gyártói cikkszám
BSM180D12P3C007
Leírás
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Gyártói standard átfutási idő
27 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
MOSFET tömb 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Felületszerelt modul
Adatlap
 Adatlap
EDA / CAD modellek
BSM180D12P3C007 modellek
Termékadatok
Szűrés hasonló termékekre
A meg nem adott attribútumok megjelenítése
Kategória
Ugs(th) (Max) / Id
5,6V / 50mA
Gyártó
Rohm Semiconductor
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
900pF / 10V
Csomagolás
Ömlesztve
Max. teljesítmény
880W
Alkatrész státusza
Aktív
Üzemi hőmérséklet
175°C (TJ)
Technológia
Szilícium-karbid (SiC)
Rögzítés módja
Felületszerelt
Konfiguráció
2 N csatornás (dupla)
Tokozás
modul
Drain-source feszültség (Udss)
1200V (1,2kV)
Gyártói tokozás
modul
Drain áram (Id) 25°C-on
180A (Tc)
Alap típusszám
Környezetvédelmi és exportálási információk
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok
További információk
Raktáron: 2
A további beérkező áruk ellenőrzése
A termék rendelkezésre álló készletének kimerülése után a gyártó standard kiszerelése és átfutási ideje lép érvénybe.
Beállított pénznem: HUF
Ömlesztve
Mennyiség Egységár Részösszeg
1211 526,79000 Ft211 526,79 Ft
Egységár áfa nélkül:211 526,79000 Ft
Egységár áfával:268 639,02330 Ft