SIC Power Module
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
SIC Power Module
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

DigiKey raktári szám
BSM180D12P3C007-ND
Gyártó
Rohm Semiconductor
Gyártói cikkszám
BSM180D12P3C007
Leírás
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Gyártói standard átfutási idő
22 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
MOSFET tömb 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Felületszerelt modul
Adatlap
 Adatlap
EDA / CAD modellek
BSM180D12P3C007 modellek
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyártó
Rohm Semiconductor
Sorozat
-
Csomagolás
Ömlesztve
Alkatrész státusza
Aktív
Technológia
Szilícium-karbid (SiC)
Konfiguráció
2 N csatornás (dupla)
FET jellegzetessége
-
Drain-source feszültség (Udss)
1200V (1,2kV)
Drain áram (Id) 25°C-on
180A (Tc)
Rds On (max.) / Id, Ugs
-
Ugs(th) (Max) / Id
5,6V / 50mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
-
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
900pF / 10V
Max. teljesítmény
880W
Üzemi hőmérséklet
175°C (TJ)
Rögzítés módja
Felületszerelt
Tokozás
modul
Gyártói tokozás
modul
Alap típusszám
BSM180
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 13
A további beérkező áruk ellenőrzése
Mennyiség
Beállított pénznem: HUF
Ömlesztve
Mennyiség Egységár Részösszeg
1188 832,92000 Ft188 832,92 Ft
Egységár áfa nélkül:188 832,92000 Ft
Egységár áfával:239 817,80840 Ft