N csatornás 650 V 16A (Tc) 81W (Ta) Felületszerelt 4-PQFN (8x8)
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
N csatornás 650 V 16A (Tc) 81W (Ta) Felületszerelt 4-PQFN (8x8)
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPH3206LDB

DigiKey raktári szám
TPH3206LDB-ND
Gyártó
Gyártói cikkszám
TPH3206LDB
Leírás
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 650 V 16A (Tc) 81W (Ta) Felületszerelt 4-PQFN (8x8)
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Szűrés hasonló termékekre
A meg nem adott attribútumok megjelenítése
Kategória
Ugs(th) (Max) / Id
2,6V / 500µA
Gyrt.
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
6.2 nC @ 4.5 V
Csomagolás
Csőtár
Ugs (Max)
±18V
Alkatrész státusza
Elavult
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
720 pF @ 480 V
FET típusa
Teljesítményveszteség (max.)
81W (Ta)
Technológia
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss)
650 V
Rögzítés módja
Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on
Gyártói tokozás
4-PQFN (8x8)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
10V
Tokozás
Rds On (max.) / Id, Ugs
180mohm / 10A, 8V
Környezetvédelmi és exportálási információk
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok
További információk
Elavult
Ezt a terméket már nem gyártják.