Name: TP65H100G4PS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H100G4PS-ND
Price: 2562.7457 HUF
Availability: InStock

N csatornás 650 V 18,9A (Tc) 65,8W (Ta) Furatszerelt TO-220AB

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

TP65H100G4PS
DigiKey raktári szám	1707-TP65H100G4PS-ND
Gyártó	Renesas Electronics Corporation
Gyártói cikkszám	TP65H100G4PS
Leírás	Hi Volt FETs
Gyártói standard átfutási idő	16 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 18,9A (Tc) 65,8W (Ta) Furatszerelt TO-220AB
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 110mohm / 12A, 10V
Gyrt. Renesas Electronics Corporation	Ugs(th) (Max) / Id 4,1V / 1,8mA
Sorozat SuperGaN®	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 14.4 nC @ 10 V
Csomagolás Csőtár	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 818 pF @ 400 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 65,8W (Ta)
Technológia GaNFET (gallium-nitrid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 650 V	Rögzítés módja Furatszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 18,9A (Tc)	Gyártói tokozás TO-220AB
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V	Tokozás TO-220-3

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 938

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Csőtár

Mennyiség	Egységár	Részösszeg
1	2 017,91000 Ft	2 017,91 Ft
50	1 069,61340 Ft	53 480,67 Ft
100	977,98450 Ft	97 798,45 Ft
500	817,49066 Ft	408 745,33 Ft
1 000	765,97913 Ft	765 979,13 Ft
2 000	742,99875 Ft	1 485 997,50 Ft

Gyártói standard kiszerelés

Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.