Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 2709.8498 HUF
Availability: OutOfStock

MOSFET tömb 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Ta) Felületszerelt PG-WHITFN-10-1

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

ISG0616N10NM5HSCATMA1
DigiKey raktári szám	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	ISG0616N10NM5HSCATMA1
Leírás	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Gyártói standard átfutási idő	48 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	MOSFET tömb 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Ta) Felületszerelt PG-WHITFN-10-1
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET- és MOSFET-tömbök	Rds On (max.) / Id, Ugs 4mohm / 50A, 10V
Gyártó Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 3,8V / 85µA
Sorozat OptiMOS™ 5	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 78nC / 10V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 4800pF / 50V
Alkatrész státusza Aktív	Max. teljesítmény 3W (Ta), 167W (Ta)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Konfiguráció 2 N csatornás (félhíd)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 100V	Tokozás 10-PowerWDFN
Drain áram (Id) 25°C-on 19A (Ta), 139A (Tc)	Gyártói tokozás PG-WHITFN-10-1