Name: ISC058N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 484.1748 HUF
Availability: InStock

ISC058N04NM5ATMA1
DigiKey raktári szám	448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-ISC058N04NM5ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-ISC058N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	ISC058N04NM5ATMA1
Leírás	40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 40 V 17A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 42W (Ta) Felületszerelt PG-TDSON-8 FL
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	ISC058N04NM5ATMA1 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™ 5
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	40 V
Drain áram (Id) 25°C-on	17A (Ta), 63A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	5,8mohm / 31A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,4V / 13µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	16 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	1100 pF @ 20 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	3W (Ta), 42W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TDSON-8 FL
Tokozás	8-TDFN
Alap típusszám	ISC058N

Egységár áfa nélkül:	381,24000 Ft
Egységár áfával:	484,17480 Ft

ISC058N04NM5ATMA1