Name: ISC022N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 2872.4352 HUF
Availability: OutOfStock

N csatornás 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Felületszerelt PG-TSON-8-3

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

ISC022N10NM6ATMA1
DigiKey raktári szám	448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-ISC022N10NM6ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-ISC022N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	ISC022N10NM6ATMA1
Leírás	TRENCH >=100V PG-TSON-8
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Felületszerelt PG-TSON-8-3
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	ISC022N10NM6ATMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 3,3V / 147µA
Gyrt. Infineon Technologies	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 91 nC @ 10 V
Sorozat OptiMOS™ 6	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 6880 pF @ 50 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 3W (Ta), 254W (Tc)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Gyártói tokozás PG-TSON-8-3
Drain áram (Id) 25°C-on 25A (Ta), 230A (Tc)	Tokozás 8-TDFN
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 8V, 10V	Alap típusszám ISC022N
Rds On (max.) / Id, Ugs 2,24mohm / 50A, 10V