Name: ISC019N10NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC019N10NM8SCATMA1TR-ND
Price: 3701.5801 HUF
Availability: OutOfStock

Új termék

N csatornás 100 V 26A (Ta), 245A (Tc) 3W (Ta), 268W (Tc) Felületszerelt PG-WSON-8-2

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

ISC019N10NM8SCATMA1
DigiKey raktári szám	448-ISC019N10NM8SCATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-ISC019N10NM8SCATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-ISC019N10NM8SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	ISC019N10NM8SCATMA1
Leírás	ISC019N10NM8SCATMA1
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 26A (Ta), 245A (Tc) 3W (Ta), 268W (Tc) Felületszerelt PG-WSON-8-2
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 1,93mohm – 50A, 15V mellett
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 3,2V / 114µA
Sorozat OptiMOS™ 8	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 133 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 8800 pF @ 50 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 3W (Ta), 268W (Tc)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 26A (Ta), 245A (Tc)	Gyártói tokozás PG-WSON-8-2
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 8V, 15V	Tokozás 8-WDFN