IRFS4310TRRPBF nincs raktáron, és jelenleg előrendelni sem lehet.
Elérhető helyettesítő alkatrészek:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Raktáron: 0
Egységár : 518,73368 Ft
Adatlap

Similar


IXYS
Raktáron: 0
Egységár : 868,41297 Ft
Adatlap

Similar


IXYS
Raktáron: 0
Egységár : 950,61003 Ft
Adatlap

Similar


Nexperia USA Inc.
Raktáron: 0
Egységár : 1 063,36000 Ft
Adatlap

Similar


Vishay Siliconix
Raktáron: 285
Egységár : 1 085,78000 Ft
Adatlap

Similar


STMicroelectronics
Raktáron: 639
Egységár : 976,88000 Ft
Adatlap

Similar


STMicroelectronics
Raktáron: 8 213
Egységár : 1 748,78000 Ft
Adatlap
N csatornás 100 V 130A (Tc) 300W (Ta) Felületszerelt D2PAK
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IRFS4310TRRPBF

DigiKey raktári szám
IRFS4310TRRPBF-ND - Szalag tekercsen (TR)
Gyártó
Gyártói cikkszám
IRFS4310TRRPBF
Leírás
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 100 V 130A (Tc) 300W (Ta) Felületszerelt D2PAK
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
Sorozat
Csomagolás
Szalag tekercsen (TR)
Alkatrész státusza
Megszűnt a DigiKey-nél
FET típusa
Technológia
Drain-source feszültség (Udss)
100 V
Drain áram (Id) 25°C-on
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max.) / Id, Ugs
7mohm / 75A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id
4V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
250 nC @ 10 V
Ugs (Max)
±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
7670 pF @ 50 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
300W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Felületszerelt
Gyártói tokozás
D2PAK
Tokozás
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

0 raktáron
Az ideiglenesen korlátozott készletellátottság miatt előrendeléseket sajnos nem tudunk elfogadni, és jelenleg az átfutási idő sem elérhető. Helyettesítő alkatrészek vagy Alternatív kiszerelések megtekintése.