Name: IRFH5020TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5020TRPBFTR-ND
Price: 996.3023 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IRFH5020TRPBF
DigiKey raktári szám	IRFH5020TRPBFTR-ND - Szalag tekercsen (TR) IRFH5020TRPBFCT-ND - Vágott szalag (CT) IRFH5020TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IRFH5020TRPBF
Leírás	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Gyártói standard átfutási idő	26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 200 V 5,1A (Ta) 3,6W (Ta), 8,3W (Ta) Felületszerelt 8-PQFN (5x6)
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IRFH5020TRPBF modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	HEXFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	200 V
Drain áram (Id) 25°C-on	5,1A (Ta)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	55mohm / 7,5A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	5V / 150µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	54 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	2290 pF @ 100 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	3,6W (Ta), 8,3W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	8-PQFN (5x6)
Tokozás	8-TDFN
Alap típusszám	IRFH5020