Name: IQE050N08NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 1456.4233 HUF
Availability: InStock

N csatornás 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Ta) Felületszerelt PG-WHTFN-9-1

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IQE050N08NM5CGSCATMA1
DigiKey raktári szám	448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IQE050N08NM5CGSCATMA1
Leírás	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Ta) Felületszerelt PG-WHTFN-9-1
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IQE050N08NM5CGSCATMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 5mohm / 20A, 10V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 3,8V / 49µA
Sorozat OptiMOS™ 5	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 44 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 2900 pF @ 40 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 2,5W (Ta), 100W (Ta)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 80 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 16A (Ta), 99A (Tc)	Gyártói tokozás PG-WHTFN-9-1
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Tokozás 9-PowerWDFN