Name: IQD009N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 2354.4784 HUF
Availability: OutOfStock

N csatornás 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Felületszerelt PG-WHTFN-9-U02

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IQD009N06NM5CGSCATMA1
DigiKey raktári szám	448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IQD009N06NM5CGSCATMA1
Leírás	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Felületszerelt PG-WHTFN-9-U02
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IQD009N06NM5CGSCATMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 0,9mohm / 50A, 10V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 3,3V / 163µA
Sorozat OptiMOS™ 5	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 150 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 12000 pF @ 30 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 60 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 42A (Ta), 445A (Tc)	Gyártói tokozás PG-WHTFN-9-U02
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Tokozás 9-PowerWDFN