Name: IPT013N08NM5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT013N08NM5LFATMA1TR-ND
Price: 3704.7551 HUF
Availability: InStock

N csatornás 80 V 333A (Tc) 278W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPT013N08NM5LFATMA1
DigiKey raktári szám	448-IPT013N08NM5LFATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IPT013N08NM5LFATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IPT013N08NM5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPT013N08NM5LFATMA1
Leírás	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Gyártói standard átfutási idő	25 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 333A (Tc) 278W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPT013N08NM5LFATMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 4,1V / 250µA
Gyrt. Infineon Technologies	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 158 nC @ 10 V
Sorozat OptiMOS™	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 820 pF @ 40 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 278W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 80 V	Gyártói tokozás PG-HSOF-8
Drain áram (Id) 25°C-on 333A (Tc)	Tokozás 8-SFN
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V	Alap típusszám IPT013N
Rds On (max.) / Id, Ugs 1,3mohm / 150A, 10V