Name: IPN95R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN95R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 715.2894 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPN95R1K2P7ATMA1
DigiKey raktári szám	IPN95R1K2P7ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) IPN95R1K2P7ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) IPN95R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPN95R1K2P7ATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Gyártói standard átfutási idő	17 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 950 V 6A (Tc) 7W (Ta) Felületszerelt PG-SOT223
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPN95R1K2P7ATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	CoolMOS™ P7
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	950 V
Drain áram (Id) 25°C-on	6A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	1,2ohm / 2,7A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,5V / 140µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	15 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	478 pF @ 400 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	7W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-SOT223
Tokozás	TO-261-4, TO-261AA
Alap típusszám	IPN95R1