Name: IPDQ65R099CFD7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1TR-ND
Price: 1989.7979 HUF
Availability: InStock

N csatornás 650 V 29A (Tc) 186Sz (Tc) Felületszerelt PG-HDSOP-22-1

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPDQ65R099CFD7XTMA1
DigiKey raktári szám	448-IPDQ65R099CFD7XTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPDQ65R099CFD7XTMA1
Leírás	HIGH POWER_NEW
Gyártói standard átfutási idő	29 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 29A (Tc) 186Sz (Tc) Felületszerelt PG-HDSOP-22-1
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPDQ65R099CFD7XTMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 4,5V / 480µA
Gyrt. Infineon Technologies	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 39 nC @ 10 V
Sorozat CoolMOS™	Ugs (Max) ±20V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 1942 pF @ 400 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 186Sz (Tc)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 650 V	Gyártói tokozás PG-HDSOP-22-1
Drain áram (Id) 25°C-on 29A (Tc)	Tokozás 22-PowerBSOP modul
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V	Alap típusszám IPDQ65
Rds On (max.) / Id, Ugs 99mohm / 9,7A, 10V