Name: IPD65R225C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R225C7ATMA1TR-ND
Price: 1200.6707 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPD65R225C7ATMA1
DigiKey raktári szám	IPD65R225C7ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) IPD65R225C7ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) IPD65R225C7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPD65R225C7ATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Gyártói standard átfutási idő	26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 11A (Tc) 63W (Ta) Felületszerelt PG-TO252-3
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPD65R225C7ATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	CoolMOS™ C7
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	650 V
Drain áram (Id) 25°C-on	11A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	225mohm / 4,8A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	4V / 240µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	20 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	996 pF @ 400 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	63W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TO252-3
Tokozás	TO-252-3, DPAK (2 kivezetés + fül), SC-63
Alap típusszám	IPD65R225