Name: IPD60N10S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND
Price: 873.8108 HUF
Availability: InStock

IPD60N10S412ATMA1
DigiKey raktári szám	448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IPD60N10S412ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IPD60N10S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPD60N10S412ATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Gyártói standard átfutási idő	18 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 60A (Tc) 94W (Ta) Felületszerelt PG-TO252-3-313
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPD60N10S412ATMA1 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	100 V
Drain áram (Id) 25°C-on	60A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	12,2mohm / 60A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,5V / 46µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	34 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	2470 pF @ 25 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	94W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	autóipar
Minősítés	AEC-Q101
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TO252-3-313
Tokozás	TO-252-3, DPAK (2 kivezetés + fül), SC-63
Alap típusszám	IPD60N10

Mennyiség	Egységár	Részösszeg
2 500	195,37664 Ft	488 441,60 Ft
5 000	182,32258 Ft	911 612,90 Ft

Egységár áfa nélkül:	688,04000 Ft
Egységár áfával:	873,81080 Ft

IPD60N10S412ATMA1