Name: IPD30N12S3L31ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD30N12S3L31ATMA1TR-ND
Price: 728.0656 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPD30N12S3L31ATMA1
DigiKey raktári szám	448-IPD30N12S3L31ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IPD30N12S3L31ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IPD30N12S3L31ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPD30N12S3L31ATMA1
Leírás	MOSFET N-CHANNEL_100+
Gyártói standard átfutási idő	9 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 120 V 30A (Tc) 57W Felületszerelt PG-TO252-3-11
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™ T
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	120 V
Drain áram (Id) 25°C-on	30A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	31mohm / 30A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,4V / 29µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	24 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	1970 pF @ 25 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	57W
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	autóipar
Minősítés	AEC-Q101
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TO252-3-11
Tokozás	TO-252-3, DPAK (2 kivezetés + fül), SC-63
Alap típusszám	IPD30N12