Name: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
Price: 536.4734 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPC50N04S55R8ATMA1
DigiKey raktári szám	IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPC50N04S55R8ATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Gyártói standard átfutási idő	26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 40 V 50A (Tc) 42W (Ta) Felületszerelt PG-TDSON-8-33
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPC50N04S55R8ATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	40 V
Drain áram (Id) 25°C-on	50A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	5,8mohm / 25A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,4V / 13µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	18 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	1090 pF @ 25 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	42W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	autóipar
Minősítés	AEC-Q101
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TDSON-8-33
Tokozás	8-TDFN
Alap típusszám	IPC50N

A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 7 174

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®