Name: IPBE65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND
Price: 2957.6014 HUF
Availability: InStock

N csatornás 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Felületszerelt PG-TO263-7-3-10

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPBE65R099CFD7AATMA1
DigiKey raktári szám	448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPBE65R099CFD7AATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Gyártói standard átfutási idő	32 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Felületszerelt PG-TO263-7-3-10
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPBE65R099CFD7AATMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 53 nC @ 10 V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs (Max) ±20V
Sorozat CoolMOS™ CFD7A	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 2513 pF @ 400 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Teljesítményveszteség (max.) 127W (Tc)
Alkatrész státusza Aktív	Üzemi hőmérséklet -40°C ~ 150°C (TJ)
FET típusa N csatornás	Típusjelölés autóipar
Technológia MOSFET (fémoxid)	Minősítés AEC-Q101
Drain-source feszültség (Udss) 650 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 24A (Tc)	Gyártói tokozás PG-TO263-7-3-10
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V	Tokozás TO-263-7, D2PAK (6 kivezetés + fül), TO-263CB
Rds On (max.) / Id, Ugs 99mohm / 12,5A, 10V	Alap típusszám IPBE65
Ugs(th) (Max) / Id 4,5V / 630µA