Name: IPB80N06S2H5ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
Price: 1818.0304 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPB80N06S2H5ATMA2
DigiKey raktári szám	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Szalag tekercsen (TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Vágott szalag (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPB80N06S2H5ATMA2
Leírás	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Gyártói standard átfutási idő	9 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 55 V 80A (Tc) 300W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-3-2
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPB80N06S2H5ATMA2 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	55 V
Drain áram (Id) 25°C-on	80A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	5,2mohm / 80A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	4V / 230µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	155 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	4400 pF @ 25 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	300W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	autóipar
Minősítés	AEC-Q101
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TO263-3-2
Tokozás	TO-263-3, D2PAK (2 kivezetés + fül), TO-263AB
Alap típusszám	IPB80N