Name: IPB65R190CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND
Price: 1852.0918 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPB65R190CFDAATMA1
DigiKey raktári szám	448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IPB65R190CFDAATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IPB65R190CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPB65R190CFDAATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Gyártói standard átfutási idő	8 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 17,5A (Tc) 151W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-3
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPB65R190CFDAATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	CoolMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	650 V
Drain áram (Id) 25°C-on	17,5A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	190mohm / 7,3A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	4,5V / 700µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	68 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	1850 pF @ 100 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	151W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-40°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	autóipar
Minősítés	AEC-Q101
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TO263-3
Tokozás	TO-263-3, D2PAK (2 kivezetés + fül), TO-263AB
Alap típusszám	IPB65R190