
IMW65R083M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey raktári szám | 448-IMW65R083M1HXKSA1-ND |
Gyártó | |
Gyártói cikkszám | IMW65R083M1HXKSA1 |
Leírás | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Vevői azonosító | |
Részletes leírás | N csatornás 650 V 24A (Tc) 104W (Ta) Furatszerelt PG-TO247-3-41 |
Adatlap | Adatlap |
EDA / CAD modellek | IMW65R083M1HXKSA1 modellek |
Kategória | Ugs(th) (Max) / Id 5,7V / 3,3mA |
Gyrt. | Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 19 nC @ 18 V |
Sorozat | Ugs (Max) +20V, -2V |
Csomagolás Csőtár | Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 624 pF @ 400 V |
Alkatrész státusza Új tervekhez nem ajánlott | Teljesítményveszteség (max.) 104W (Ta) |
FET típusa | Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technológia | Rögzítés módja Furatszerelt |
Drain-source feszültség (Udss) 650 V | Gyártói tokozás PG-TO247-3-41 |
Drain áram (Id) 25°C-on | Tokozás |
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 18V | Alap típusszám |
Rds On (max.) / Id, Ugs 111mohm / 11,2A, 18V |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 1 | 2 761,67000 Ft | 2 761,67 Ft |
| 30 | 1 589,63633 Ft | 47 689,09 Ft |
| 120 | 1 332,26658 Ft | 159 871,99 Ft |
| 510 | 1 143,66671 Ft | 583 270,02 Ft |
| 1 020 | 1 074,87601 Ft | 1 096 373,53 Ft |
| 2 010 | 1 018,21557 Ft | 2 046 613,30 Ft |
| Egységár áfa nélkül: | 2 761,67000 Ft |
|---|---|
| Egységár áfával: | 3 507,32090 Ft |






