
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey raktári szám | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
Gyártó | |
Gyártói cikkszám | IMW65R057M1HXKSA1 |
Leírás | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Gyártói standard átfutási idő | 23 hét |
Vevői azonosító | |
Részletes leírás | N csatornás 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) Furatszerelt PG-TO247-3-41 |
Adatlap | Adatlap |
EDA / CAD modellek | IMW65R057M1HXKSA1 modellek |
Típus | Leírás | Mindet kijelölöm |
|---|---|---|
Kategória | ||
Gyrt. | ||
Sorozat | ||
Csomagolás | Csőtár | |
Alkatrész státusza | Aktív | |
FET típusa | ||
Technológia | ||
Drain-source feszültség (Udss) | 650 V | |
Drain áram (Id) 25°C-on | ||
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) | 18V | |
Rds On (max.) / Id, Ugs | 74mohm / 16,7A, 18V | |
Ugs(th) (Max) / Id | 5,7V / 5mA | |
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs | 28 nC @ 18 V | |
Ugs (Max) | +20V, -2V | |
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds | 930 pF @ 400 V | |
FET jellegzetessége | - | |
Teljesítményveszteség (max.) | 133W (Tc) | |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Típusjelölés | - | |
Minősítés | - | |
Rögzítés módja | Furatszerelt | |
Gyártói tokozás | PG-TO247-3-41 | |
Tokozás | ||
Alap típusszám |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 1 | 2 661,89000 Ft | 2 661,89 Ft |
| 30 | 1 548,18467 Ft | 46 445,54 Ft |
| 120 | 1 303,61967 Ft | 156 434,36 Ft |
| 510 | 1 184,47769 Ft | 604 083,62 Ft |
| Egységár áfa nélkül: | 2 661,89000 Ft |
|---|---|
| Egységár áfával: | 3 380,60030 Ft |







