Name: IMW65R020M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND
Price: 6863.6642 HUF
Availability: InStock

N csatornás 650 V 83A (Tc) 273W (Ta) Furatszerelt PG-TO247-3-40

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMW65R020M2HXKSA1
DigiKey raktári szám	448-IMW65R020M2HXKSA1-ND
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IMW65R020M2HXKSA1
Leírás	SILICON CARBIDE MOSFET
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 83A (Tc) 273W (Ta) Furatszerelt PG-TO247-3-40
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 5,6V / 9,5mA
Gyrt. Infineon Technologies	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 57 nC @ 18 V
Sorozat CoolSiC™ Gen 2	Ugs (Max) +23V, -7V
Csomagolás Csőtár	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 2038 pF @ 400 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 273W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Rögzítés módja Furatszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 650 V	Gyártói tokozás PG-TO247-3-40
Drain áram (Id) 25°C-on 83A (Tc)	Tokozás TO-247-3
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Alap típusszám IMW65R020
Rds On (max.) / Id, Ugs 18mohm / 46,9A, 20V

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 240

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Csőtár

Mennyiség	Egységár	Részösszeg
1	5 404,46000 Ft	5 404,46 Ft
30	3 293,98667 Ft	98 819,60 Ft
120	2 832,03183 Ft	339 843,82 Ft
510	2 493,82806 Ft	1 271 852,31 Ft
1 020	2 370,56124 Ft	2 417 972,46 Ft

Gyártói standard kiszerelés

Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.