N csatornás 650 V 48,1A (Tc) 237W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8-2
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMT65R50M2HXUMA1

DigiKey raktári szám
448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR)
448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Vágott szalag (CT)
448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó
Infineon Technologies
Gyártói cikkszám
IMT65R50M2HXUMA1
Leírás
SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Gyártói standard átfutási idő
22 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 650 V 48,1A (Tc) 237W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8-2
Adatlap
 Adatlap
EDA / CAD modellek
IMT65R50M2HXUMA1 modellek
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
Infineon Technologies
Sorozat
CoolSiC™ G2
Csomagolás
Szalag tekercsen (TR)
Vágott szalag (CT)
Digi-Reel®
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
N csatornás
Technológia
SiCFET (szilícium-karbid)
Drain-source feszültség (Udss)
650 V
Drain áram (Id) 25°C-on
48,1A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max.) / Id, Ugs
62mohm / 18,2A, 18V
Ugs(th) (Max) / Id
5,6V / 3,7mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
22 nC @ 18 V
Ugs (Max)
+25V, -10V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
790 pF @ 400 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
237W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Felületszerelt
Gyártói tokozás
PG-HSOF-8-2
Tokozás
8-SFN
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 2 000
A további beérkező áruk ellenőrzése
A termék rendelkezésre álló készletének kimerülése után a gyártó standard kiszerelése és átfutási ideje lép érvénybe.
Mennyiség
Beállított pénznem: HUF
Szalag tekercsen (TR)
Mennyiség Egységár Részösszeg
2 0001 456,43706 Ft2 912 874,12 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Egységár áfa nélkül:1 456,43706 Ft
Egységár áfával:1 849,67507 Ft