Name: IMDQ75R016M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R016M2HXTMA1TR-ND
Price: 7144.385 HUF
Availability: OutOfStock

Újdonságok a DigiKey-nél

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMDQ75R016M2HXTMA1
DigiKey raktári szám	448-IMDQ75R016M2HXTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IMDQ75R016M2HXTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IMDQ75R016M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IMDQ75R016M2HXTMA1
Leírás	IMDQ75R016M2HXTMA1
Gyártói standard átfutási idő	23 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 840 V 103A (Tc) 394W (Tc) Felületszerelt PG-HDSOP-22
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	CoolSiC™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	SiCFET (szilícium-karbid)
Drain-source feszültség (Udss)	840 V
Drain áram (Id) 25°C-on	103A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds On (max.) / Id, Ugs	14mOhm / 55,8A, 20V
Ugs(th) (Max) / Id	5,6V / 12,3mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	74 nC @ 18 V
Ugs (Max)	+23V, -7V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	2577 pF @ 500 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	394W (Tc)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-HDSOP-22
Tokozás	22-PowerBSOP modul