
IMBG65R020M2HXTMA1 | |
|---|---|
DigiKey raktári szám | 448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IMBG65R020M2HXTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IMBG65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Gyártó | |
Gyártói cikkszám | IMBG65R020M2HXTMA1 |
Leírás | SILICON CARBIDE MOSFET |
Gyártói standard átfutási idő | 23 hét |
Vevői azonosító | |
Részletes leírás | N csatornás 650 V 91A (Tc) 326W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-7-12 |
Adatlap | Adatlap |
Típus | Leírás | Mindet kijelölöm |
|---|---|---|
Kategória | ||
Gyrt. | ||
Sorozat | ||
Csomagolás | Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel® | |
Alkatrész státusza | Aktív | |
FET típusa | ||
Technológia | ||
Drain-source feszültség (Udss) | 650 V | |
Drain áram (Id) 25°C-on | ||
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) | 15V, 20V | |
Rds On (max.) / Id, Ugs | 24mohm / 46,9A, 18V | |
Ugs(th) (Max) / Id | 5,6V / 9,5mA | |
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs | 57 nC @ 18 V | |
Ugs (Max) | +23V, -7V | |
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds | 2038 pF @ 400 V | |
FET jellegzetessége | - | |
Teljesítményveszteség (max.) | 326W (Ta) | |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Típusjelölés | - | |
Minősítés | - | |
Rögzítés módja | Felületszerelt | |
Gyártói tokozás | PG-TO263-7-12 | |
Tokozás | ||
Alap típusszám |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 1 | 4 576,16000 Ft | 4 576,16 Ft |
| 10 | 3 205,32500 Ft | 32 053,25 Ft |
| 100 | 2 834,60580 Ft | 283 460,58 Ft |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 1 000 | 2 315,86677 Ft | 2 315 866,77 Ft |
| Egységár áfa nélkül: | 4 576,16000 Ft |
|---|---|
| Egységár áfával: | 5 811,72320 Ft |




