Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 10003.2185 HUF
Availability: InStock

N csatornás 650 V 158A (Tc) 535W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-7-12

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMBG65R010M2HXTMA1
DigiKey raktári szám	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IMBG65R010M2HXTMA1
Leírás	SILICON CARBIDE MOSFET
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 158A (Tc) 535W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-7-12
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IMBG65R010M2HXTMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 9,1mohm / 92,1A, 20V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 5,6V / 18,7mA
Sorozat CoolSiC™	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 112 nC @ 18 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) +23V, -7V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 4001 pF @ 400 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 535W (Ta)
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 650 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 158A (Tc)	Gyártói tokozás PG-TO263-7-12
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Tokozás TO-263-8, D2PAK (7 kivezetés + fül), TO-263CA