Name: IMBG120R350M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND
Price: 2229.5358 HUF
Availability: InStock

N csatornás 1200 V 4,7A (Tc) 65W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-7-12

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMBG120R350M1HXTMA1
DigiKey raktári szám	448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IMBG120R350M1HXTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IMBG120R350M1HXTMA1
Leírás	SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Gyártói standard átfutási idő	45 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 1200 V 4,7A (Tc) 65W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-7-12
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IMBG120R350M1HXTMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 5,7V / 1mA
Gyrt. Infineon Technologies	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 5.9 nC @ 18 V
Sorozat CoolSiC™	Ugs (Max) +18V, -15V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 196 pF @ 800 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 65W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 1200 V	Gyártói tokozás PG-TO263-7-12
Drain áram (Id) 25°C-on 4,7A (Tc)	Tokozás TO-263-8, D2PAK (7 kivezetés + fül), TO-263CA
Rds On (max.) / Id, Ugs 468mohm / 2A, 18V	Alap típusszám IMBG120