Name: IMBG120R034M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R034M2HXTMA1TR-ND
Price: 5271.2366 HUF
Availability: InStock

N csatornás 1200 V 58A (Tc) 278W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-7

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMBG120R034M2HXTMA1
DigiKey raktári szám	448-IMBG120R034M2HXTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IMBG120R034M2HXTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IMBG120R034M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IMBG120R034M2HXTMA1
Leírás	SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Gyártói standard átfutási idő	69 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 1200 V 58A (Tc) 278W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-7
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 34mOhm / 20,4A, 18V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 5,1V / 6,4mA
Sorozat CoolSiC™ G2	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 45 nC @ 18 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) +23V, -7V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 1510 pF @ 800 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 278W (Ta)
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 1200 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 58A (Tc)	Gyártói tokozás PG-TO263-7
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Tokozás TO-263-8, D2PAK (7 kivezetés + fül), TO-263CA