Name: IMBG120R030M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R030M1HXTMA1TR-ND
Price: 6267.2976 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMBG120R030M1HXTMA1
DigiKey raktári szám	448-IMBG120R030M1HXTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IMBG120R030M1HXTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IMBG120R030M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IMBG120R030M1HXTMA1
Leírás	SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Gyártói standard átfutási idő	26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 1200 V 56A (Tc) 300W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-7-12
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IMBG120R030M1HXTMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	CoolSiC™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	SiCFET (szilícium-karbid)
Drain-source feszültség (Udss)	1200 V
Drain áram (Id) 25°C-on	56A (Tc)
Rds On (max.) / Id, Ugs	41mohm / 25A, 18V
Ugs(th) (Max) / Id	5,7V / 11,5mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	63 nC @ 18 V
Ugs (Max)	+18V, -15V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	2290 pF @ 800 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	300W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TO263-7-12
Tokozás	TO-263-8, D2PAK (7 kivezetés + fül), TO-263CA
Alap típusszám	IMBG120