Name: IMBF170R1K0M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R1K0M1XTMA1TR-ND
Price: 2090.5216 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMBF170R1K0M1XTMA1
DigiKey raktári szám	448-IMBF170R1K0M1XTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IMBF170R1K0M1XTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IMBF170R1K0M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IMBF170R1K0M1XTMA1
Leírás	SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Gyártói standard átfutási idő	26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 1700 V 5,2A (Tc) 68W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-7-13
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IMBF170R1K0M1XTMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	CoolSiC™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	SiCFET (szilícium-karbid)
Drain-source feszültség (Udss)	1700 V
Drain áram (Id) 25°C-on	5,2A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	12V, 15V
Rds On (max.) / Id, Ugs	1000mohm / 1A, 15V
Ugs(th) (Max) / Id	5,7V / 1,1mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	5 nC @ 12 V
Ugs (Max)	+20V, -10V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	275 pF @ 1000 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	68W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TO263-7-13
Tokozás	TO-263-8, D2PAK (7 kivezetés + fül), TO-263CA
Alap típusszám	IMBF170