Name: IGLR65R200D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND
Price: 1136.8024 HUF
Availability: InStock

IGLR65R200D2XUMA1
DigiKey raktári szám	448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IGLR65R200D2XUMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IGLR65R200D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IGLR65R200D2XUMA1
Leírás	GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Gyártói standard átfutási idő	27 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 9,2A (Tc) 34W (Ta) Felületszerelt PG-TSON-8-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IGLR65R200D2XUMA1 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	CoolGaN™ G5
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	GaNFET (gallium-nitrid)
Drain-source feszültség (Udss)	650 V
Drain áram (Id) 25°C-on	9,2A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	-
Rds On (max.) / Id, Ugs	240mohm, 2,1A mellett
Ugs(th) (Max) / Id	1,6V / 710µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	1.26 nC @ 3 V
Ugs (Max)	-10V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	91 pF @ 400 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	34W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TSON-8-8
Tokozás	8-TDFN

Egységár áfa nélkül:	895,12000 Ft
Egységár áfával:	1 136,80240 Ft

IGLR65R200D2XUMA1