Name: IAUT200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 1947.2148 HUF
Availability: InStock

N csatornás 80 V 200A (Tc) 200W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8-1

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IAUT200N08S5N023ATMA1
DigiKey raktári szám	IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) IAUT200N08S5N023ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) IAUT200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IAUT200N08S5N023ATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Gyártói standard átfutási idő	27 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 200A (Tc) 200W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8-1
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IAUT200N08S5N023ATMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 110 nC @ 10 V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs (Max) ±20V
Sorozat OptiMOS™ 5	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 7670 pF @ 40 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Teljesítményveszteség (max.) 200W (Ta)
Alkatrész státusza Aktív	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
FET típusa N csatornás	Típusjelölés autóipar
Technológia MOSFET (fémoxid)	Minősítés AEC-Q101
Drain-source feszültség (Udss) 80 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 200A (Tc)	Gyártói tokozás PG-HSOF-8-1
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Tokozás 8-SFN
Rds On (max.) / Id, Ugs 2,3mohm / 100A, 10V	Alap típusszám IAUT200
Ugs(th) (Max) / Id 3,8V / 130µA