Name: IAUS200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 1911.6929 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IAUS200N08S5N023ATMA1
DigiKey raktári szám	IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) IAUS200N08S5N023ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) IAUS200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IAUS200N08S5N023ATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Gyártói standard átfutási idő	18 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 200A (Tc) 200W (Ta) Felületszerelt PG-HSOG-8-1
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IAUS200N08S5N023ATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	80 V
Drain áram (Id) 25°C-on	200A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	2,3mohm / 100A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,8V / 130µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	110 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	7670 pF @ 40 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	200W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	autóipar
Minősítés	AEC-Q101
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-HSOG-8-1
Tokozás	8-SMD, sirályszárnyas
Alap típusszám	IAUS200