Name: IAUS165N08S5N029ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS165N08S5N029ATMA1TR-ND
Price: 1714.1317 HUF
Availability: InStock

N csatornás 80 V 165A (Tc) 167W (Ta) Felületszerelt PG-HSOG-8-1

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IAUS165N08S5N029ATMA1
DigiKey raktári szám	IAUS165N08S5N029ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) IAUS165N08S5N029ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) IAUS165N08S5N029ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IAUS165N08S5N029ATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Gyártói standard átfutási idő	27 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 165A (Tc) 167W (Ta) Felületszerelt PG-HSOG-8-1
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IAUS165N08S5N029ATMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 90 nC @ 10 V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs (Max) ±20V
Sorozat OptiMOS™	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 6370 pF @ 40 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Teljesítményveszteség (max.) 167W (Ta)
Alkatrész státusza Aktív	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
FET típusa N csatornás	Típusjelölés autóipar
Technológia MOSFET (fémoxid)	Minősítés AEC-Q101
Drain-source feszültség (Udss) 80 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 165A (Tc)	Gyártói tokozás PG-HSOG-8-1
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Tokozás 8-SMD, sirályszárnyas
Rds On (max.) / Id, Ugs 2,9mohm / 80A, 10V	Alap típusszám IAUS165
Ugs(th) (Max) / Id 3,8V / 108µA