Name: BSC900N20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC900N20NS3GATMA1TR-ND
Price: 975.0044 HUF
Availability: OutOfStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

BSC900N20NS3GATMA1
DigiKey raktári szám	BSC900N20NS3GATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) BSC900N20NS3GATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) BSC900N20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	BSC900N20NS3GATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Gyártói standard átfutási idő	26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 200 V 15,2A (Tc) 62,5W (Ta) Felületszerelt PG-TDSON-8-5
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	BSC900N20NS3GATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	200 V
Drain áram (Id) 25°C-on	15,2A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	90mohm / 7,6A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	4V / 30µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	11.6 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	920 pF @ 100 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	62,5W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TDSON-8-5
Tokozás	8-TDFN
Alap típusszám	BSC900