Name: BSC009NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC009NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 1026.0965 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

BSC009NE2LS5ATMA1
DigiKey raktári szám	BSC009NE2LS5ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) BSC009NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	BSC009NE2LS5ATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Gyártói standard átfutási idő	26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 25 V 41A (Ta), 223A (Tc) 2,5W (Ta), 74W (Ta) Felületszerelt PG-TDSON-8-7
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	BSC009NE2LS5ATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™ 5
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	25 V
Drain áram (Id) 25°C-on	41A (Ta), 223A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	0,9mohm / 30A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	57 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±16V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	3900 pF @ 12 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	2,5W (Ta), 74W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TDSON-8-7
Tokozás	8-TDFN
Alap típusszám	BSC009