Name: AIMDQ75R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R060M2HXTMA1TR-ND
Price: 3771.8619 HUF
Availability: InStock

N csatornás 750 V 30A (Tc) 128W (Tc) Felületszerelt PG-HDSOP-22

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

AIMDQ75R060M2HXTMA1
DigiKey raktári szám	448-AIMDQ75R060M2HXTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-AIMDQ75R060M2HXTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-AIMDQ75R060M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	AIMDQ75R060M2HXTMA1
Leírás	SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 750 V 30A (Tc) 128W (Tc) Felületszerelt PG-HDSOP-22
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	AIMDQ75R060M2HXTMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 5,6V / 3mA
Gyrt. Infineon Technologies	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 20 nC @ 18 V
Sorozat CoolSiC™	Ugs (Max) +23V, -7V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 716 pF @ 500 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 128W (Tc)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Típusjelölés autóipar
Drain-source feszültség (Udss) 750 V	Minősítés AEC-Q101
Drain áram (Id) 25°C-on 30A (Tc)	Rögzítés módja Felületszerelt
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Gyártói tokozás PG-HDSOP-22
Rds On (max.) / Id, Ugs 56mOhm / 13,8A, 20V	Tokozás 22-PowerBSOP modul