IGBT-k (szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok)

Az IGBT-k (Insulated Gate Bipolar Transistors, szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok) nagy áramok vezetésére alkalmas, gyorskapcsolású, három elektródával rendelkező többrétegű félvezető eszközök. Műszaki jellemzőik a következők: típus, kollektor-emitter letörési feszültség, kollektoráram, maximális kollektoráram, VCE(ON), kapcsolási energia és a kapu elektródára vezetendő töltésmennyiség.