IGBT-k (szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok)

7 041 találatból
Kiemelt gyártók
Image of Infineon Technology Logo
Image of onsemi logo
Image of STMicroelectronics color logo
Image of Littelfuse logo
Image of ROHM Semiconductor logo
Image of Renesas Electronics America logo

IGBT-k


Az IGBT-k (Insulated Gate Bipolar Transistors, szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok) nagy áramok vezetésére alkalmas, gyorskapcsolású, három elektródával rendelkező többrétegű félvezető eszközök. Műszaki jellemzőik a következők: típus, kollektor-emitter letörési feszültség, kollektoráram, maximális kollektoráram, VCE(ON), kapcsolási energia és a kapu elektródára vezetendő töltésmennyiség.