A szénkefe nélküli egyenáramú motorokhoz való motorvezérlő egységek hűtésének optimalizálása komoly kihívást jelentő környezetben
Contributed By DigiKey's North American Editors
2023-05-04
A szénkefe nélküli egyenáramú (BDLC, brushless direct current) motorokat egyre gyakrabban használják nagy hőigénybevételt jelentő körülmények között gépjárműipari környezetben, például villanyjárművekben (EV, electric vehicle), valamint ipari felhasználási területeken, például a robotikában és gyártóberendezésekben. Ahhoz, hogy a szénkefe nélküli egyenáramú motorok vezérlése megbízható működjön, a tervezők számára kulcsfontosságú szempont a hatékony hőmérséklet-szabályozás. Ennek érdekében különös figyelmet kell fordítaniuk a teljesítmény-MOSFET-ek és kapuvezérlő IC-k kapcsolási frekvenciájára, hatásfokára, üzemi hőmérséklet-tartományára és méreteire, miközben gondoskodniuk kell arról, hogy ezek az eszközök megfeleljenek az AEC-Q101 és ahhoz hasonló minősítéseknek, a PPAP-eljárásnak (Production Part Approval Process, sorozatgyártott alkatrészek jóváhagyási eljárása) és adott esetben az IATF16949:2016 szabványnak (IATF: International Automotive Task Force, Nemzetközi Gépjárműipari Munkacsoport).
Ezenkívül a kapuvezérlőknek a mikrovezérlőkkel (MCU) való kapcsolat egyszerűsítése érdekében kompatibiliseknek kell lenniük a szabványos TTL- (transistor–transistor logic, tranzisztor–tranzisztor logika) és CMOS-feszültségszintekkel. Képeseknek kell lenniük arra is, hogy megvédjék a MOSFET-eket különféle hibaállapotoktól, és a hatékony nagyfrekvenciás működés támogatása érdekében jól illesztett terjedési késleltetésűeknek kell lenniük.
Hogy kielégítsék ezeket az igényeket, a tervezők a kis méretű, jó hatásfokú megoldások előállítása érdekében nagyfrekvenciás kapuvezérlő IC-kkel párosíthatják a kétkapus n-csatornás, növekményes üzemmódú MOSFET-eket.
Ez a cikk a szénkefe nélküli egyenáramú motorok vezérlésének tervezésekor figyelembe veendő hőmérséklet-szabályozási szempontok áttekintésével kezdődik, majd röviden összefoglalja az AEC-Q101, a PPAP és az IATF 16949:2016 követelményeit. Ezután példákat mutat a Diodes, Inc. kétkapus n-csatornás, növekményes üzemmódú teljesítmény-MOSFET-jeire és a hozzájuk illeszkedő kapuvezérlő IC-kre, amelyek alkalmasak ipari és gépjárműipari szénkefe nélküli egyenáramú motorok motorvezérlő rendszereiben való felhasználásra. A cikket a szénkefe nélküli egyenáramú motorok motorvezérlő áramköreinek nyomtatott áramköri lapon való elrendezésével kapcsolatos szempontok tárgyalása zárja, beleértve az elektromágneses zavarás minimálisra csökkentésével és a hűtési teljesítmény optimalizálásável kapcsolatos szempontokat is.
A szénkefe nélküli egyenáramú motorok és a kommutálás
A legfontosabb különbség a szénkefe nélküli egyenáramú motorok és a szénkefés motorok között az, hogy a szénkefe nélküli egyenáramú motorok esetében a kommutálás megvalósításához mikrovezérlős vezérlés szükséges. Ehhez a forgórész elfordulási helyzetének érzékelésére van szükség. A helyzetérzékelés áramérzékelő ellenállások vagy Hall-érzékelők segítségével valósítható meg. A Hall-érzékelőknek a motor belsejében – 120°-onként – történő elhelyezése a helyzetérzékelés általános, pontos és hatékony módja.
A megoldásnak része egy hat teljesítmény-MOSFET-ből álló hídkapcsolás is, amely a háromfázisú szénkefe nélküli egyenáramú motorok vezérlésére szolgál. A Hall-érzékelők digitális jeleket állítanak elő, amelyeket a mikrovezérlő a motor forgórészhelyzetének meghatározására használ, majd a motor működésének vezérléséhez előállítja a MOSFET-ek szükséges sorrendben és kívánt sebességgel történő kapcsolásához szükséges vezérlőjeleket (1. ábra). A szénkefe nélküli egyenáramú motorok használatának egyik legfontosabb előnye a vezérelhetőség.
1. ábra: A háromfázisú szénkefe nélküli egyenáramú motorokban három Hall-érzékelő szolgáltatja a hat teljesítmény-MOSFET kapcsolásának vezérléséhez szükséges forgórészhelyzet-adatokat (ábra: Diodes, Inc.)
A terjedési késleltetés kezelése
A mikrovezérlő által előállított vezérlőjelek túl gyengék a teljesítmény-MOSFET-ek közvetlen vezérléséhez, ezért a mikrovezérlő jeleinek erősítésére egy kapuvezérlő IC-t használnak. A kapuvezérlő IC beiktatása azonban némi késleltetést okoz a vezérlőjelek terjedésében. Ezenkívül a félhidas kapuvezérlő két csatornájának kissé eltérő a válaszideje, ami a terjedési késleltetések eltolódását eredményezi. A legrosszabb esetben a magasoldali kapcsoló kinyithat, mielőtt az alacsonyoldali kapcsoló teljesen lezárna, ami azt eredményezi, hogy mindkét kapcsoló egyszerre van nyitva (vezet) – ezt átvezetésnek nevezik. Ha ez bekövetkezik, rövidzárlat keletkezik, és megsérülhet vagy tönkremehet a motorvezérlés vagy maga a motor.
A terjedési késleltetéssel kapcsolatos problémák megoldására többféle módszer létezik. Az egyik a gyors mikrovezérlő használata, amely elég gyorsan reagál ahhoz, hogy kiküszöbölje a terjedési késleltetést. Ezzel a módszerrel két lehetséges probléma van: egyrészt drágább mikrovezérlőt igényel, másrészt a mikrovezérlő egy holtidősávot vezet be a kapcsolási folyamatba annak biztosítása érdekében, hogy a két MOSFET-kapcsoló soha ne legyen egyszerre nyitva. Ez a holtidő a teljes kapcsolási folyamatot késlelteti.
A legtöbb készülékben előnyben részesített megoldás a kis terjedési késleltetésű kapuvezérlő használata. A nagy teljesítményű kapuvezérlő IC-k a rendszer megbízhatóságának további növelése érdekében tartalmaznak az átvezetést megakadályozó logikát is (2. ábra).
2. ábra: A nagy teljesítményű kapuvezérlő IC-k a nagyon kis terjedési késleltetés mellett tartalmaznak az átvezetést megakadályozó logikát is (balra középen) (ábra: Diodes, Inc.)
Mindig hűvösen tartva
A teljesítmény-MOSFET-ek biztonságos és pontos vezérlése létfontosságú a szénkefe nélküli egyenáramú motorok megbízható működéséhez, csakúgy, mint a teljesítmény-MOSFET-ek hűtése. A teljesítmény-félvezetők hűtésével kapcsolatos két fontos jellemző a pn-átmenet és a burkolat közötti hőellenállás (RθJC), valamint a pn-átmenet és a környezet közötti hőellenállás (RθJA). Mindkettőnek °C/W (Celsius-fok/watt) a mértékegysége. Az RθJC hőellenállás eszköz- és tokozásfüggő. Ez állandó érték, amely olyan tényezőktől függ, mint a félvezetőszelet mérete, a félvezetőszelet rögzítéséhez használt anyag, valamint a tokozás hőtechnikai jellemzői.
Az RθJA egy tágabb fogalom: magában foglalja az RθJC-t, valamint a forrasztás és a hűtőborda hőmérsékleti együtthatóját is. Teljesítmény-MOSFET-ek esetében az RθJA akár 10-szer akkora is lehet, mint az RθJC. A MOSFET-tokozás (ház) hőmérsékletének (TC) kézben tartása kulcsfontosságú szempont (3. ábra). Ez azt jelenti, hogy a teljesítmény-MOSFET-ek hűtésének kialakítása során nagyon fontosak az olyan tényezők, mint a nyomtatott áramköri lap kialakítása és elrendezése, valamint a hűtőbordák. A MOSFET-ben keletkező hő szinte teljes egészében a nyomtatott áramköri lap rézfelületén és a hűtőbordán keresztül távozik.
3. ábra: Az RθJA a hőleadás egyik legfontosabb mérőszáma, és akár 10-szer akkora is lehet, mint az RθJC (ábra: Diodes, Inc.)
Gépjárműipari szabványok
A gépjárműipari területeken való felhasználáshoz az eszközöknek egy vagy több ágazati szabványnak is meg kell felelniük, beleértve többek közt az AEC-Q100, az AEC-Q101, a PPAP és az IATF 16949:2016 szabványt. Az AEC-Q100 és az AEC-Q101 a gépjárműipari területeken használt félvezető eszközök megbízhatósági szabványa. A PAPP egy dokumentációs és nyomonkövetési szabvány, az IATF 16949:2016 pedig egy ISO 9001-alapú minőségbiztosítási szabvány. Pontosabban:
Az AEC-Q100 egy hibamechanizmus-alapú tűrőképességi teszt tokozott IC-k számára, és négy környezeti üzemi hőmérséklet-tartományt, azaz fokozatot tartalmaz:
- 0. fokozat: –40 °C és +150 °C között
- 1. fokozat: –40 °C és +125 °C között
- 2. fokozat: –40 °C és +105 °C között
- 3. fokozat: –40 °C és +85 °C között
Az AEC-Q101 a tűrőképességi tesztek minimális követelményeit és feltételeit szabja meg az olyan diszkrét eszközökre vonatkozóan, mint a teljesítmény-MOSFET-ek, és –40 °C és +125 °C közötti működést ír elő.
A PPAP egy 18 lépésből álló jóváhagyási folyamat az új vagy módosított alkatrészek esetében. Úgy van kialakítva, hogy biztosítsa, hogy az alkatrészek következetesen megfeleljenek a meghatározott követelményeknek. A PPAP-nak öt szabványos bemutatási szintje van, és a követelményeket a beszállító és a megrendelő egyezteti.
Az IATF 16949:2016 egy gépjárműipari minőségbiztosítási rendszer, amely az ISO 9001 szabványon és a gépjárműipari ágazat ügyfélspecifikus követelményein alapul. Ez a szabvány harmadik fél által végzett tanúsítást igényel.
Kétkapus teljesítmény-MOSFET-ek
A szénkefe nélküli egyenáramú motorok jó hatásfokú vezérlésének megvalósításához a tervezők használhatnak olyan kétkapus n-csatornás növekményes üzemmódú MOSFET-eket, mint a Diodes Inc. ipari felhasználási területekre szánt DMTH6010LPD-13 MOSFET-je, illetve az AEC-Q101 minősítésű, gépjárműipari felhasználási területekre szánt DMTH6010LPDQ-13 MOSFET-je. Mindkét alkatrész PPAP-támogatottságú, és IATF 16949-tanúsítvánnyal rendelkező létesítményekben készül. Ezeknek a MOSFET-eknek kicsi, 2615 pF a bemeneti kapacitásuk (Ciss) a nagy kapcsolási sebességek lehetővé tétele érdekében, és kicsi, 11 mΩ a nyitóirányú ellenállásuk (RDS(on)) a jó átalakítási hatásfok elérése végett, így alkalmasak nagy frekvenciájú, jó hatásfokú készülékekbe. Az eszközöknek 10 V a kapuvezérlő feszültségük, +175 °C-ig használhatók, és 5 mm × 6 mm-es PowerDI5060-8 tokozásban kaphatóak, nagy nyelőfelülettel (drain pad) a nagy hőleadás érdekében (4. ábra). Hőtechnikai jellemzők:
- 53 °C/W állandó RθJA hőellenállás, ha az eszközt 2 unciás (56,7 g) rézrétegű FR-4 nyomtatott áramköri lapra szerelik, amely hőelvezető furatokkal van ellátva az alsó rétegén lévő 1 hüvelyk × 1 hüvelyk (25,4 mm × 25,4 mm) méretű, négyzet alakú rézfelülethez
- RθJC = 4 °C/W
- +175°C-ig használható
4. ábra: A DMTH6010LPD-13 és a DMTH6010LPDQ-13 a PowerDI5060-8 tokozás nagyméretű nyelőfelületét használja a nagy hőleadás elősegítésére (ábra: Diodes, Inc.)
Kétkapus MOSFET-es kapuvezérlő
A kétkapus teljesítmény-MOSFET-ek vezérléséhez a tervezők kétféle félhidas kapuvezérlőt is használhatnak: a DGD05473FN-7 jelűt ipari felhasználási területeken, vagy az AEC-Q100 minősítésű, DGD05473FNQ-7 jelűt gépjárműipari rendszerekhez. Ezek a kapuvezérlők is PPAP-támogatottságúak, és ezeket is IATF 16949 tanúsítvánnyal rendelkező létesítményekben gyártják. A bemenetek a mikrovezérlőkkel való kapcsolat egyszerűsítése érdekében kompatibilisek a TTL- és CMOS-jelszintekkel (le egészen 3,3 V-ig), és a lebegő magasoldali vezérlő 50 V-ra van méretezve. A védelmi funkciók közé tartozik a feszültségesés miatti letiltás (UVLO, undervoltage lockout) és az átvezetést megakadályozó logika (lásd ismét a 2. ábrát). A beépített feszültség-utánhúzó dióda segít minimálisra csökkenteni a nyomtatott áramköri lapon elfoglalt helyet. Egyéb jellemzők:
- 20 ns terjedési késleltetés
- 5 ns legnagyobb késleltetési illesztés
- legnagyobb vezérlőáram: 1,5 A forrásáram és 2,5 A befolyó áram
- 1 µA alatti készenléti áram
- AEC-Q100 1. osztályú minősítés, üzemi hőmérséklet-tartomány: –40 °C – +125 °C
A hűtéssel és az elektromágneses zavarással kapcsolatos szempontok
A fentiekben részletezett MOSFET-eket és vezérlő IC-ket használó áramköröknél bevált áramkörilap-elrendezési módszereknek a lehető legjobb hűtés érdekében a kis méretet a MOSFET-ekhez a gyakorlatban elérhető lehető legnagyobb rézfelületekkel kell kombinálniuk. A kis méret minimálisra csökkenti a hurokterületeket, a kis vezetékhossz pedig az elektromágneses zavarást (EMI, electromagnetic interference), és csökkenti az elektromágneses összeférhetőséggel (EMC, electromagnetic compatibility) kapcsolatos aggályokat.
Az elektromágneses összeférhetőség és a hűtési teljesítmény további javítása érdekében érdemes elhelyezni a nyomtatott áramköri lap alján egy egybefüggő belső testfelületet és egy további tápfeszültség-felületet. Ezek mellett a jelvezetékekhez egy külön belső réteget kell használni.
A MOSFET tokozásának jelentős hatása van a hűtési teljesítményre. Három lehetőséget, a PowerDI5060-8, a 3 mm × 3 mm-es PowerDI3333-8 és a 2 mm × 2 mm-es DFN2020-6 tokozást megvizsgálva megállapítható, hogy a legnagyobb nyelőfelületű PowerDI5060 teszi lehetővé a legnagyobb, 2,12 W-ot elérő hűtési teljesítményt (5. ábra).
5. ábra: A PowerDI5060 (kék vonal) hűtési teljesítménye nagyobb a két kisebb fizikai méretű tokozásénál (ábra: Diodes, Inc.)
Összegzés
A hűtési szempontból jó hatásfokú tokozásban elhelyezett kétkapus teljesítmény-MOSFET-ek kombinálhatók a hozzájuk illeszkedő kapuvezérlő IC-kkel, így nagy teljesítményű és kis méretű motorvezérlő egységek készíthetők a gépjárműipari és ipari felhasználási területeken használt szénkefe nélküli egyenáramú motorok vezérlésére. Ezek a megoldások megfelelnek az AEC, PPAP és IATF megbízhatósági, dokumentációs és minőségbiztosítási szabványoknak. Az eszközök a bevált áramkörilap-elrendezési módszereket felhasználva a tervezők segítségére lehetnek, hogy a legjobb hűtési teljesítményt és elektromágneses összeférhetőséget érjék el a szénkefe nélküli egyenáramú motorok vezérlésének megvalósítása során.
Ajánlott olvasnivaló
- Use Sensorless Vector Control with BLDC and PMS Motors to Deliver Precise Motion Control (Érzékelő nélküli vektoros vezérlés használata szénkefe nélküli egyenáramú (BLDC) motorokhoz és állandó mágneses szinkronmotorokhoz (PMS) a mozgás pontos szabályozása érdekében)
- What Kinds of Encoder Features Boost Ruggedness? Solid-State Electronics, Maybe? (A kódolók milyen jellemzői növelik a tűrőképességet? Talán a félvezetős elektronika?)
- How to Choose and Use Angle Sensors for Power Steering, Motors and Robotics (Szöghelyzet-érzékelők választása és használata a szervokormányzás, a villanymotorok és a robotika területén)
Disclaimer: The opinions, beliefs, and viewpoints expressed by the various authors and/or forum participants on this website do not necessarily reflect the opinions, beliefs, and viewpoints of DigiKey or official policies of DigiKey.


