HUF | EUR | USD
Kedvenc

IRF7416TRPBF P-csatornás 30V 10A (Ta) 2,5W (Ta) Felületszerelt 8-SO
Ár és beszerzés
15 570 Raktáron
Azonnal küldhető.
 

Darabszám
Beállított pénznem: USD.
Árváltozás Egységár Részösszeg
1 1.04000 $1.04
10 0.91100 $9.11
25 0.85560 $21.39
100 0.69830 $69.83
500 0.55200 $276.00
1,000 0.44160 $441.60

Kérjen árajánlatot, ha többet szeretne rendelni a megjelenített mennyiségeknél.

Más kiszerelés
  • Szalag tekercsen (TR)  : IRF7416TRPBFTR-ND
  • Minimális darabszám: 4 000
  • ELÉRHETŐ DARABSZÁM: 12 000 - azonnali
  • Egységár: $0,42000
  • Digi-Reel®  : IRF7416TRPBFDKR-ND
  • Minimális darabszám: 1
  • ELÉRHETŐ DARABSZÁM: 15 570 - azonnali
  • Egységár: Digi-Reel®

IRF7416TRPBF

Adatlap
Digi-Key raktári szám IRF7416TRPBFCT-ND
Másolás  
Gyártó

Infineon Technologies

Másolás  
Gyártói cikkszám IRF7416TRPBF
Másolás  
Leírás MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Másolás  
Részletes leírás

P-csatornás 30V 10A (Ta) 2,5W (Ta) Felületszerelt 8-SO

Másolás  
Vevői azonosító
Dokumentumok és média
Adatlapok IRF7416PbF
Más kapcsolódó dokumentumok IR Part Numbering System
Tréningmodulok High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Kiemelt termék Data Processing Systems
Termékváltozási értesítő: kialakítás / műszaki jellemzők Mult Dev Label Chgs Aug/2020
Termékváltozási értesítő: összeszerelés / származási hely Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
Termékváltozási értesítő: csomagolás Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
HTML adatlap IRF7416PbF
Szimulációs modellek IRF7416PBF Saber Model
Termékadatok
TÍPUS Leírás MINDET KIJELÖLÖM
Kategóriák
Gyártó Infineon Technologies
Sorozat HEXFET®
Kiszerelés Vágott szalag (CT) 
Alkatrész státusza Aktív
FET típusa P-csatornás
Technológia MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss) 30V
Drain áram (Id) 25°C-on 10A (Ta)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs 20mOhm / 5,6A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id 1V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 92nC @ 10V
Ugs (Max) ±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 1700pF @ 25V
FET jellegzetessége -
Teljesítményveszteség (max.) 2,5W (Ta)
Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Rögzítés módja Felületszerelt
Gyártói tokozás 8-SO
Tokozás 8-SOIC (0,154", 3,90mm széles)
Alaptípus IRF7416
 
Környezetvédelmi és exportálási információk
RoHS megfelelőség RoHS 3-nak megfelelő
Nedvességérzékenységi fokozat (MSL) 1 (korlátlan)
Ez is érdekelheti

MBRS340T3G

DIODE SCHOTTKY 40V 4A SMC

ON Semiconductor

$0,47000 Részletek

SN74HC244PWR

IC BUFFER NON-INVERT 6V 20TSSOP

Texas Instruments

$0,44000 Részletek

MRA4004T3G

DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

ON Semiconductor

$0,42000 Részletek

FDS4435BZ

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

ON Semiconductor

$0,87000 Részletek

BC817-40LT1G

TRANS NPN 45V 500MA SOT23-3

ON Semiconductor

$0,19000 Részletek

IRLML2502TRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Infineon Technologies

$0,50000 Részletek
További információk
Standard kiszerelés 1
Más elnevezések IRF7416TRPBFCT