Name: NTMD6N02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD6N02R2GOSTR-ND
Price: 526.4912 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

NTMD6N02R2G
DigiKey raktári szám	NTMD6N02R2GOSTR-ND - Szalag tekercsen (TR) NTMD6N02R2GOSCT-ND - Vágott szalag (CT) NTMD6N02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	onsemi
Gyártói cikkszám	NTMD6N02R2G
Leírás	MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Gyártói standard átfutási idő	13 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	MOSFET tömb 20V 3,92A 730mW Felületszerelt 8-SOIC
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	NTMD6N02R2G modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET- és MOSFET-tömbök	Ugs(th) (Max) / Id 1,2V / 250µA
Gyártó onsemi	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 20nC / 4,5V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 1100pF / 16V
Alkatrész státusza Aktív	Max. teljesítmény 730mW
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguráció 2 N csatornás (dupla)	Rögzítés módja Felületszerelt
FET jellegzetessége logikai FET	Tokozás 8-SOIC (0,154", 3,90mm széles)
Drain-source feszültség (Udss) 20V	Gyártói tokozás 8-SOIC
Drain áram (Id) 25°C-on 3,92A	Alap típusszám NTMD6
Rds On (max.) / Id, Ugs 35mohm / 6A, 4,5V